西安碳星半导体科技有限公司筹备始于2015年底，2016年12月13日正式注册，注册资本588.0624万元，公司生产地址为东长安街888号利科LED产业园区1号楼，目前生产及办公面积共计800余平米。

西安碳星半导体科技有限公司是中国中西部地区家也是一家以生产人造金刚石、金刚石基超宽禁带半导体材料及高频大功率电子器件的高科技生产企业，拥有当今世界先进的MPCVD金刚石生产设备，具备自主研发能力，可量产大面积单晶金刚石及相关电子器件，公司产品对于中国金刚石产业及半导体产业均有重要而深远的影响。

公司致力于利用微波等离子体CVD技术量产直径为1-2英寸电子器件级大面积金刚石单晶。利用金刚石单晶的等晶面特性生长大块体状金刚石单晶；采用切割、研磨、镶嵌拼凑技术形成大面积金刚石单晶用母板；在母板上表面的几个微米深度内用高能离子注入技术注入碳原子形成类石墨化层；然后将加工处理好的金刚石单晶母板衬底装入MPCVD中进行外延生长；再利用电化学腐蚀技术将外延生长的金刚石单晶从石墨化层剥离下来，从而形成大面积单晶金刚石衬底，通过扩大生产规模满足批量的需求。

金刚石基超宽禁带半导体材料与器件的研究和开发已成为世界各国竞相占领的高科技制高点，是半导体科学、材料科学、高温电子学、兆瓦级固态功率电子学、高功率密度射频电子学的前沿研究领域。碳星半导体怀着工匠之心与科技兴国、实业兴邦的理想，力争为中国金刚石基超宽禁带半导体材料与器件的研究和开发做出贡献。在电子器件应用方面，器件性能与材料的物理特性密切相关。由于热生泄漏电流主要由禁带宽度决定，因此在给定温度下，金刚石基超宽禁带半导体比其他窄禁带半导体的热生泄漏电流小几个数量级，非常适合制作高温电子器件；金刚石基超宽禁带半导体在高电场下高的电子饱和速率和低的介电常，有利于制作微波毫米波器件；金刚石的高热导率特性有利于制作大功率电子器件。

公司所有项目的顺利发展将填补我国在该领域的空白，使我国在该产业领域实现跨越式发展，从而满足我国在高速无线通信，卫星通信，航天系统有效载荷及雷达发面等系统要求，形成涵盖通信、航天、航海、国防、医疗、高压传输、智能电网、电力机车等行业的庞大产业链，并将进一步改变半导体及其相关产业的格局，带来微电子领域的革命性变革。

我公司通过开展大面积高质量金刚石半导体衬底的产业化，进而实现大规模产业化。抢先占领该领域研究与开发的制高点，迅速达到国际先进水平，实现跨越式发展。同时，在我国逐步形成完整的金刚石半导体产业链，并促进陕西省经济的发展。