专利摘要显示，本发明属于氮掺杂金刚石制造技术领域，具体涉及一种用于量子应用研究的CVD高氮单晶金刚石及其生长方法与应用。本发明的方法以常规的低氮CVD金刚石单晶片作为晶种，采用CVD法同质外延生长，通过控制生长温度、压力和CH4的添加浓度，使单晶在高氮条件下实现低速生长，在保证结晶质量的情况下得到预期氮含量的单晶金刚石。该方法实现了对实际氮含量做具体要求的高氮单晶金刚石产品的生产，满足客户对实际氮含量的要求，同时能够针对不同氮含量单晶的生产进行灵活调整，相比高温高压黄单晶，CVD高氮单晶金刚石的生长尺寸有了进一步增加，产品可应用于量子研究等，具有较高的发展前景和研究价值。

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