近期，美国伊利诺伊大学电气和计算机工程教授Can Bayram研究团队以题为“Diamond p-Type Lateral Schottky Barrier Diodes With High Breakdown Voltage (4612 V at 0.01 mA/Mm)”在《IEEE Electron Device Letters》杂志上发表了研究成果。提出了一种利用电子束蒸发技术在肖特基电极上形成Al₂O₃场板来增加金刚石肖特基二极管击穿电场的新方法。

在这项工作中，Bayram研究团队展示了他们的金刚石装置可以承受大约5kV的高电压（电压受到测量设置的限制，而不是来自装置本身）。理论上，该装置可承受高达9kV的电压，这是金刚石装置报告的最高电压。除了最高的击穿电压外，该器件还表现出了最低的漏电流。

原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10236581