在追求下一代高性能半导体器件的进程中,芯片散热(即“热管理”)已成为制约行业发展的关键瓶颈。无论是超大规模数据中心的人工智能加速器,还是国防与通信领域的射频放大器,高效散热能力正直接决定着芯片的性能、 ...
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在追求下一代高性能半导体器件的进程中,芯片散热(即“热管理”)已成为制约行业发展的关键瓶颈。
合作里程碑:质量与尺寸兼得 近日,戴比尔斯旗下人造金刚石公司元素六(即 Element Six,简称 E6)与日本 Orbray 株式会社的战略合作取得关键进展。双方成功制备出50毫米直径的高质量单晶人造钻石晶圆。 这一突破的意义在于,首次在实现大尺寸的同时,确保了晶圆的高质量,并且生产过程具备可扩展性和可重复性。 该成果得益于双方技术的深度融合:将 Orbray 的钻石异质外延生长技术成功移植到 E6 的化学气相沉积钻石合成平台,并结合了后者在同质外延及钻石抛光方面的专业积累。
卓越的性能 据报道,此次推出的金刚石晶圆具备以下关键特性:
这些特性使得该晶圆能够直接与氮化镓等半导体材料键合,满足高功率半导体应用的需求。 E6 已就此应用与美国主要国防承包商展开紧密合作。
破解行业长期难题 过去,行业内仅能在低缺陷密度与大尺寸衬底制备方面各自取得突破,将两者结合始终是难以实现的目标。 此次成功标志着这一瓶颈被突破。 可扩展的生产方式不仅有助于降低成本,更使得合成材料能够顺利集成到标准半导体制造流程中,为高功率芯片和先进封装的热管理方案开辟了新天地。 E6 首席技术专家 Daniel Twitchen 博士表示,“如果在二十年前,甚至五年前问我这是否可能,我的答案都会是否定的。这一里程碑是紧密协作、技术韧性以及对人造金刚石半导体应用共同愿景的直接成果。” Orbray 执行董事 Kim Seongwoo 博士认为:“拥有超高质量单晶钻石生长技术的E6,与擅长大直径钻石合成的Orbray之间的合作,是一次‘创新性的智慧碰撞’,将加速推动更可持续社会的实现。”
应用前景:从散热到未来半导体 随着芯片功率密度持续攀升,散热不足引发了一系列问题,如性能降额、可靠性下降、冷却成本居高不下等等。 这些都是需要直面的核心问题。 人造金刚石的热导率最高可达铜的五倍,作为热扩散层,能显著提升散热效率,助力芯片实现更高效、更凉爽、更可靠的运行。 本次里程碑的达成,也为人造金刚石作为下一代超宽禁带半导体材料的应用铺平了道路。这对其在未来高频、高压电子设备中的应用至关重要。 尽管要实现钻石基电子产品,仍需在尺寸扩大和缺陷控制上进一步改进,但当前成果无疑为此奠定了关键基础。 这不仅是一项通过国际合作达成的技术成就,更为行业创新与构建竞争优势提供了坚实基础。在人工智能、5G、电气化与国防现代化需求并起的时代,人造金刚石这样的多功能材料显得愈发重要。 以上内容请谨慎参考 本文封面图源自网络,无任何商业用途 本文来源:钻石观察 |
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